SI1469DH-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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Anschlüsse, Verbindungen
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI1469DH-T1-E3
| Artikelnummer: | SI1469DH-T1-E3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 500+ | $0.3445 |
| 1000+ | $0.2662 |
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI1469DH-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI1469DH-T1-E3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Vgs (Max) ±12V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SC-70-6 (SOT-363) Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 2A, 10V Verlustleistung (max) 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Andere Namen SI1469DH-T1-E3DKR Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 4.5V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V detaillierte Beschreibung P-Channel 20V 2.7A (Tc) 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A (Tc) SI1469DH-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] SI1469DH-T1-E3 PDF - EN.pdf -
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